矽源特TC118AH是一颗单通道内置功率MOS全桥驱动， 驱动上进、撤销、勾留及刹车效劳，内置迟滞热效应过热回护效果，低导通电阻（0.5Ω/1000mA）
矽源特TC118AH最大相联输出电流可达1.8A,峰值2.5A，无需外围大滤波电容，只需小贴片电容,
注：在不同的运用中，C1、C2 可会商只装一个：在 3V 行使中发起用一个 1uF 或以上；在 4.5V 利用中提议用一个 4.7uF 或以上,均为使用贴片电容；在 6V 操纵中倡导用一个大电容 220uF+100nF 贴片电容；C2 均迫近IC 之 VDD 管脚放置且电容的负极和 IC 的 GND 端之间的连线也需纵然短。即不要电容虽然近，但布线、走线却绕得很远（参考下图）。当使用板上有大电容在为其余芯片滤波时且离矽源特TC118AH 较远也需按如上条款再安排一个小电容于矽源特矽源特TC118AH 的 VDD 脚上。图中 C4（100nF）电容优先接于马达上，当马达上不简便焊此电容时，则将其置于 PCB 上(即 C3)。
1、推选电途及参数仅实用于平常玩具电机驱动，此外操纵请凭借实质情景来应用。
2、不断电流驱动才智受封装状貌、VDD 电压、芯片间公差、情形温度、PCB 原料厚度及大小等名望教学，规格书给出参数仅供参考。在实际使用中请凭借产品切磋必定的余量。
3、矽源特TC118AH 给与 MOS 工艺计算发现，对静电敏感，条款在包装、运输、加工临盆等全历程中需注意做好防静电办法。
5、在编程时，INA 切换到 INB 时凶猛创议在主旨加一个至少 300nS 的刹车年华。